SK하이닉스, High-NA EUV 장비 확보로 메모리 개발 로드맵 가속

 

SK hynix가 ASML의 최신 극자외선(EUV) 리소그래피 기계를 확보하며 차세대 반도체 제조를 위한 로드맵을 가속화했다.

 

원래 2026년 납품으로 예정돼 있던 High-NA EUV 장비의 도착은 약 6개월 앞당겨졌다. SK hynix는 수요일 이 도구가 경기 이천의 M16 팹에 설치됐다고 밝혔다.

 

High-NA EUV 기술은 첨단 반도체 제조에 필수적이며 현존 EUV 장비에 비해 해상도가 크게 향상된다. SK hynix는 이 신형 장비를 활용해 차세대 메모리 개발 역량을 강화하는 것을 목표로 한다.

 

“이번 설치는 오늘날 치열한 글로벌 반도체 시장에서 고객 수요를 충족시키는 최첨단 제품을 신속하게 개발하고 공급할 수 있는 기반을 제공합니다.” 회사는 성명에서 이렇게 밝혔다. “우리는 파트너와의 긴밀한 협력을 통해 글로벌 칩 공급망의 신뢰성과 안정성을 더욱 강화할 것”이라고 덧붙였다.

 

High-NA EUV 시스템은 표준 EUV 도구 대비 광학 해상도를 40% 향상시켜, 1.7배의 정합 정밀도와 2.9배의 회로 밀도 증가를 가능하게 한다. 이 기계의 높이는 이중 데커 버스와 맞먹고 무게는 약 150톤에 달해 두 대의 에어버스 A320 기체에 상응한다.

 

SK hynix는 High-NA EUV 도구를 대량생산에 도입한 다섯 번째 기업으로 꼽히며, 이탈 Intel이 2023년 12월, 유럽 연구기관 Imec와 TSMC가 2024년, 그리고 Samsung Electronics가 2025년 3월에 잇따라 확보한 바 있다.

 

SK hynix가 채택한 버전은 Twinscan EXE:5200B로, 양산형으로 설계된 최초의 High-NA EUV 도구다. ASML에 따르면 5200B는 5000 EXE 모델에 비해 오버레이 성능과 생산성을 개선했으며, 주로 연구개발에 쓰였던 초기 EXE:5000은 1나노미터 공정에 쓰이고 있다. 삼성은 메모리와 파운드리 개발 모두에 이를 적용하고 있다.

 

“SK hynix는 대량생산용 High-NA EUV 도구를 채택한 최초의 메모리 칩 제조사다,” 회사 측은 밝혔다. 업계 소식통에 따르면 이 장비의 단가를 6천억원(약 431.6백만 달러) 수준으로 추정한다.

 

 

DRAM 제조가 10나노미터 노드 아래로 축소되면서 현재 EUV 공정은 기술적 한계에 다가가고 있다. High-NA EUV는 7나노미터 이하로의 추가 미세화를 추진하는 데 결정적인 역할을 담당할 것으로 기대되며, 특히 패터닝 단계를 줄이고 비용 효율성을 향상시키는 데 기여할 전망이다.

 

SK hynix는 기존 EUV 공정을 간소화해 메모리 개발 속도를 높이고 성능 및 비용 경쟁력을 강화하려는 계획을 세우고 있다.

 

업계 관계자들은 또한 이번 도구를 활용해 차세대 메모리 기술인 고대역메모리(HBM)와 수직으로 적층된 3D DRAM 등으로의 진전을 이끌 것으로 예상한다. 이와 함께 로직 다이(base die) 개발에 이 기술의 적용 가능성도 논의되고 있다.

 

시작점인 HBM4부터 메모리 칩 메이커들은 전통적인 베이스 다이에서 로직 다이로의 전환을 추진하고 있다. SK hynix는 현재 HBM4 로직 다이 생산을 TSMC에 외주 주고 있는 반면, Nvidia는 HBM4E용 자체 로직 다이를 설계 중이다.

 

“Nvidia가 자체 로직 다이를 설계한다면 메모리 제조사들이 하도급자로 전락할 위험이 있다”는 업계 관계자의 말이다. “리더십을 유지하려면 메모리 기업들이 로직 다이 역량을 강화해야 한다.”

 

EUV 도구가 로직 칩 제조에는 메모리에 비해 더 효과적이기 때문에, 앞으로 로직 다이 기술 연구개발에 대한 투자도 늘어날 것으로 보인다.

 

“이번 설치는 우리의 미래 기술 비전을 실현하기 위한 핵심 인프라를 제공한다”고 SK hynix의 최고기술책임자 차선용이 말했다. “우리는 AI 메모리와 차세대 컴퓨팅의 요구를 충족시키는 최첨단 기술로 차세대 메모리 솔루션을 개발해 AI 메모리 시장을 이끌어 갈 것이다.”